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IPM將功率器件連同其驅(qū)動電路和多種保護(hù)電路封裝在同一模塊內(nèi)，進(jìn)行過完美的匹配，使系統(tǒng)設(shè)計者從繁瑣的驅(qū)動和保護(hù)電路設(shè)計中解脫出來，同時提高了系統(tǒng)的可靠性。 公司現(xiàn)有產(chǎn)品包括：IPM23,IPM24,IPM25,IPM26,IPM29。 封裝形式有：DIP23,SOP23,PQFN,DIP24,DIP25,DIP26,DIP29。

芯能推出的IGBT模塊采用溝槽結(jié)構(gòu)的場截止技術(shù)（Trench Field Stop），溝槽元胞結(jié)構(gòu)大大增加器件的功率密度，通過超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）在芯片集電極端使用電場截止型（Field Stop）結(jié)構(gòu)，從而顯著降低器件的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff），對比上一代產(chǎn)品，器件功率損耗（導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗之和）降低了33%，配合搭載獨(dú)立的等電壓快速恢復(fù)二極管（FRD），適宜于各類開關(guān)應(yīng)用。 模塊采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，產(chǎn)品在嚴(yán)酷的環(huán)境下具有穩(wěn)定一致的電參數(shù)和牢固的可靠性。

HVIC將600V耐壓元件與30V耐壓元件集成在一個芯片上，用于驅(qū)動半橋或全橋結(jié)構(gòu)的MOSFET或IGBT。把上臂、下臂的驅(qū)動電路和電源欠壓保護(hù)電路、信號互鎖電路、 過流保護(hù)電路等內(nèi)置在芯片中，實(shí)現(xiàn)了無需光耦而直接由微處理器 等邏輯電路進(jìn)行驅(qū)動和控制。