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IPM將功率器件連同其驅動電路和多種保護電路封裝在同一模塊內，進行過完美的匹配，使系統設計者從繁瑣的驅動和保護電路設計中解脫出來，同時提高了系統的可靠性。 公司現有產品包括：IPM23,IPM24,IPM25,IPM26,IPM29。 封裝形式有：DIP23,SOP23,PQFN,DIP24,DIP25,DIP26,DIP29。

芯能推出的IGBT模塊采用溝槽結構的場截止技術（Trench Field Stop），溝槽元胞結構大大增加器件的功率密度，通過超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）在芯片集電極端使用電場截止型（Field Stop）結構，從而顯著降低器件的飽和導通壓降（Vce（sat））和關斷損耗（Eoff），對比上一代產品，器件功率損耗（導通損耗與開關損耗之和）降低了33%，配合搭載獨立的等電壓快速恢復二極管（FRD），適宜于各類開關應用。 模塊采用標準封裝，產品在嚴酷的環(huán)境下具有穩(wěn)定一致的電參數和牢固的可靠性。

HVIC將600V耐壓元件與30V耐壓元件集成在一個芯片上，用于驅動半橋或全橋結構的MOSFET或IGBT。把上臂、下臂的驅動電路和電源欠壓保護電路、信號互鎖電路、 過流保護電路等內置在芯片中，實現了無需光耦而直接由微處理器 等邏輯電路進行驅動和控制。