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芯能的IGBT采用國(guó)際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場(chǎng)截止型技術(shù)（Trench + FS），合理優(yōu)化了器件電流密度 ，獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等各類(lèi)應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余，電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時(shí)具有高的短路電流能力。

芯能推出的IGBT模塊采用溝槽結(jié)構(gòu)的場(chǎng)截止技術(shù)（Trench Field Stop），溝槽元胞結(jié)構(gòu)大大增加器件的功率密度，通過(guò)超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）在芯片集電極端使用電場(chǎng)截止型（Field Stop）結(jié)構(gòu)，從而顯著降低器件的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff），對(duì)比上一代產(chǎn)品，器件功率損耗（導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗之和）降低了33%，配合搭載獨(dú)立的等電壓快速恢復(fù)二極管（FRD），適宜于各類(lèi)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 模塊采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，產(chǎn)品在嚴(yán)酷的環(huán)境下具有穩(wěn)定一致的電參數(shù)和牢固的可靠性。

HVIC將600V耐壓元件與30V耐壓元件集成在一個(gè)芯片上，用于驅(qū)動(dòng)半橋或全橋結(jié)構(gòu)的MOSFET或IGBT。把上臂、下臂的驅(qū)動(dòng)電路和電源欠壓保護(hù)電路、信號(hào)互鎖電路、 過(guò)流保護(hù)電路等內(nèi)置在芯片中，實(shí)現(xiàn)了無(wú)需光耦而直接由微處理器 等邏輯電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)和控制。