91久久,亚洲无人区一区二区三区,三区黄色片,久久久人人人婷婷色东京热

芯能的IGBT采用國際領先的溝槽結構+場截止型技術（Trench + FS），合理優(yōu)化了器件電流密度 ，獲得了最佳的飽和導通壓降（Vce（sat））和關斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于電磁加熱、電機驅(qū)動、工業(yè)電源等各類應用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余，電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時具有高的短路電流能力。

IPM將功率器件連同其驅(qū)動電路和多種保護電路封裝在同一模塊內(nèi)，進行過完美的匹配，使系統(tǒng)設計者從繁瑣的驅(qū)動和保護電路設計中解脫出來，同時提高了系統(tǒng)的可靠性。 公司現(xiàn)有產(chǎn)品包括：IPM23,IPM24,IPM25,IPM26,IPM29。 封裝形式有：DIP23,SOP23,PQFN,DIP24,DIP25,DIP26,DIP29。

芯能推出的IGBT模塊采用溝槽結構的場截止技術（Trench Field Stop），溝槽元胞結構大大增加器件的功率密度，通過超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）在芯片集電極端使用電場截止型（Field Stop）結構，從而顯著降低器件的飽和導通壓降（Vce（sat））和關斷損耗（Eoff），對比上一代產(chǎn)品，器件功率損耗（導通損耗與開關損耗之和）降低了33%，配合搭載獨立的等電壓快速恢復二極管（FRD），適宜于各類開關應用。 模塊采用標準封裝，產(chǎn)品在嚴酷的環(huán)境下具有穩(wěn)定一致的電參數(shù)和牢固的可靠性。