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芯能的IGBT采用國際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場截止型技術(shù)（Trench + FS），合理優(yōu)化了器件電流密度 ，獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)電源等各類應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余，電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時(shí)具有高的短路電流能力。

IPM將功率器件連同其驅(qū)動電路和多種保護(hù)電路封裝在同一模塊內(nèi)，進(jìn)行過完美的匹配，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)者從繁瑣的驅(qū)動和保護(hù)電路設(shè)計(jì)中解脫出來，同時(shí)提高了系統(tǒng)的可靠性。 公司現(xiàn)有產(chǎn)品包括：IPM23,IPM24,IPM25,IPM26,IPM29。 封裝形式有：DIP23,SOP23,PQFN,DIP24,DIP25,DIP26,DIP29。

芯能推出的IGBT模塊采用溝槽結(jié)構(gòu)的場截止技術(shù)（Trench Field Stop），溝槽元胞結(jié)構(gòu)大大增加器件的功率密度，通過超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）在芯片集電極端使用電場截止型（Field Stop）結(jié)構(gòu)，從而顯著降低器件的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff），對比上一代產(chǎn)品，器件功率損耗（導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗之和）降低了33%，配合搭載獨(dú)立的等電壓快速恢復(fù)二極管（FRD），適宜于各類開關(guān)應(yīng)用。 模塊采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，產(chǎn)品在嚴(yán)酷的環(huán)境下具有穩(wěn)定一致的電參數(shù)和牢固的可靠性。