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芯能的IGBT采用國際領(lǐng)先的溝槽結(jié)構(gòu)+場截止型技術(shù)（Trench + FS），合理優(yōu)化了器件電流密度 ，獲得了最佳的飽和導(dǎo)通壓降（Vce（sat））和關(guān)斷損耗（Eoff）平衡。完美適用于電磁加熱、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等各類應(yīng)用。芯能IGBT擊穿電壓保證足夠冗余，電參數(shù)一致性高并且有牢固的可靠性。同時(shí)具有高的短路電流能力。

IPM將功率器件連同其驅(qū)動(dòng)電路和多種保護(hù)電路封裝在同一模塊內(nèi)，進(jìn)行過完美的匹配，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)者從繁瑣的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)中解脫出來，同時(shí)提高了系統(tǒng)的可靠性。 公司現(xiàn)有產(chǎn)品包括：IPM23,IPM24,IPM25,IPM26,IPM29。 封裝形式有：DIP23,SOP23,PQFN,DIP24,DIP25,DIP26,DIP29。

HVIC將600V耐壓元件與30V耐壓元件集成在一個(gè)芯片上，用于驅(qū)動(dòng)半橋或全橋結(jié)構(gòu)的MOSFET或IGBT。把上臂、下臂的驅(qū)動(dòng)電路和電源欠壓保護(hù)電路、信號互鎖電路、 過流保護(hù)電路等內(nèi)置在芯片中，實(shí)現(xiàn)了無需光耦而直接由微處理器 等邏輯電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)和控制。